可生產8奈米晶片...中自製DUV大突破 將衝破美圍堵

中国已取得技术突破，研发出深紫外光曝光机（DUV）；图为艾司摩尔DUV。（路透）

中国工信部公布一项通知显示，中国已取得技术突破，研发出深紫外光曝光机（DUV），可生产8奈米及以下晶片，目前正在推广应用；中美近年掀起科技战，美国积极防止中国取得先进晶片制造设备，如今中国在这项技术获得重大突破，除引起科技圈关注，还有望冲破美国围堵。

中国工信部官网9日公布「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」通知，下发地方要求加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。工信部称，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。「首台（套）重大技术装备」是指国内实现重大技术突破、拥有智慧财产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零组件等。

这份目录显示，在积体电路生产装备，其中一项是「氟化氩光刻机」（DUV曝光机），核心技术指标为：「晶圆直径300mm，照明波长248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。

这也代表，这台中国国产DUV曝光机可生产8奈米及以下晶片，至于中国国产DUV曝光机的（制造）良率则未提到。

中国科技媒体「科学科技说」转发上述内容称，中国自己的DUV曝光机终于来了，虽与晶片制造设备龙头艾司摩尔（ASML）曝光机存在几代差距，至少已填补空白，可控可用，期待之后能研发出更先进的极紫外光曝光机（EUV）。

从工信部的消息看，这次突破主要集中在28奈米。这一节点在半导体制造上具有举足轻重地位，是许多晶片的基础过程。这项突破的意义不仅在于技术层面的进步，更在于它为中国带来策略上的主动权。这意味着在未来面对外在挑战时，中国将能够更从容地应对并保持自身的独立性和自主性。

美国本月初才宣布收紧制造先进半导体设备所需机器的出口管制，荷兰政府隔天跟进，路透报导，ASML的1970i和1980i深紫外光曝光机（DUV）输出中国会受到影响，两款机型大约是ASML所属DUV产品线的中阶位置。有分析指，中国若实现国产8奈米及以下制程DUV，未来绝大多数晶片制造将不用受制于ASML。

此外，日经中文网上月底报导，日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治表示，尽管良率上仍存有差异，但是中国晶片的技术实力，目前仅落后台积电三年的水准。清水洋治并在分析华为智慧型手机后称，到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢中方的技术创新，但却推动中国半导体产业的自主生产。

美国围堵中国取得先进晶片制造设备，始于2022年8月，美国总统拜登签署「晶片与科学法案」，严格禁止未来十年内所有联邦政府资助的美国科技公司继续在中国从事半导体先进制程的经营。同年9月禁止NVIDIA（辉达）和超微（ AMD） 的高阶AI与伺服器晶片出口中国。

2024年3月，拜登政府再次修订防止中国取得美国AI晶片和晶片制造设备的规定，根据新规则，出口管制也适用于内载相关晶片的笔记型电脑；专家分析称，这将影响未来中国个人电脑（PC产业）的发展。