大摩：HBM市場分散化、AI投資達高峰 明年恐供過於求

外资摩根士丹利唱衰当红的高频宽记忆体（HBM）后市。图为三星的36GB HBM3E。 美联社

外资摩根士丹利最新报告开出进看坏DRAM市况的第一枪之际，同步唱衰当红的高频宽记忆体（HBM）后市，预期随着市场分散化以及AI领域投资达到高峰，明年HBM市场可能供过于求。惟记忆体业者普遍不认同大摩的观点，认为HBM市场一路旺到2025年无虞。

大摩的观点是，每家记忆体厂都在根据HBM产出的最佳可能情况进行生产，将全球原本用于生产DRAM的15%产能转换至生产HBM，这只需要少量的资本投资，预估仅不到2024年DRAM晶圆制造设备的10%，然而，如果按这个计划进行，HBM产能可能会面临过剩。

大摩直言，现阶段业界良好的HBM供应状态，2025年时，恐面临实际产出可能会逐渐赶上、甚至超过当前被高估的需求量。一旦上述问题浮现，导致HBM供过于求，记忆体厂可把产能挪回制造DDR5，并闲置一小部分后端设备。

目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家国外大厂供应，台厂并未涉入HBM制造。相较于大摩看坏HBM市场发展，SK海力士、三星仍力挺HBM后市。

三星、SK海力士本月初来台参加国际半导体展（SEMICON Taiwan 2024），当时两大厂即同步释出对HBM后市正向看待的观点，并积极推出最新产品，且不约而同强调将强化与其他晶圆厂合作。

三星并推估，HBM市场规模今年将达到16亿Gb，相当于2016年到2023年加起来再乘以两倍的数字，显现HBM市场爆发力强劲，看好AI将带动DRAM市场蓬勃发展。为此，三星下世代MCRDIMM也已经准备好将在年底量产，并推出32Gb DDR5。