碇基半導體雙面散熱GaN氮化鎵電晶體 獨家獲DMTBF測試驗證

台达（2308）子公司碇基半导体（Ancora Semiconductor Inc）宣布，近期推出最新双面散热GaN氮化镓场效应电晶体，通过一系列严格的DMTBF （Demonstrated Mean Time Between Failures） 测试，验证碇基独有的双面散热元件FET-E6007PD020其专利双面散热结构能有效地分离电气和热，进一步解决高功率产品的热导问题。

在20万小时的长时间运作下，仍能维持优越效能，突显其产品的高信赖性与可靠度。此系列产品已应用于台达和威刚科技合作开发的钛金级电源供应器XPG FUSION 1600W上。

碇基总经理邢泰刚博士表示，宽能隙半导体GaN元件的应用为电力电子带来了革命性的突破。运用GaN优异的物理特性，我们能够实现高效能和小型化。除了此款650V双面散热的GaN元件FET-E6007PD020，碇基半导体将持续拓展产品线，提供更多样化的氮化镓元件，以满足不同设计需求。

台达电源及系统事业群总经理陈盈源指出，DMTBF测试结果证明Ancora产品的可靠性和稳定性，可实现更高的功率密度和更强大的节能效果。

台达表示，碇基这款产品易于实现顶部散热应用，同时具有降低电热耦合风险、促进散热效能等特点。此外，特殊的封装结构可减少寄生电感，提高电源产品的效率，在高效能、高密度、高频率和温度控制方面表现更出色。此系列产品各项表现，更能满足于伺服器、AI人工智慧、高效能运算、医疗、网通等先进应用。

碇基在氮化镓功率半导体领域拥有15年以上的专业经验，全球已累积超过200件高价值专利。多年来与台积电、罗姆半导体（ROHM）等业界领导公司紧密合作，致力于为客户提供优质的宽能隙半导体解决方案。这次联手台达电及威刚科技的策略合作，进一步满足客户对高效能电源的需求，提供更可靠的解决方案。