《半导体》IET-KY:氮化镓今年送样阶段 明年营收占比不到10%

氮化前景看俏,IET-KY(4971)(英特磊)强化在氮化镓领域布局,除氮化镓(GaN)机台已组装完成试机中,预计9月开始试产,并已取得美国能源部合约发展GaN/Si电力应用元件公司也将与韩国IVWorks公司全面合作,共同开发以MBE分子束磊技术生产氮化镓(GaN)磊晶片,IET-KY董事长永中表示,今年氮化镓处于送样阶段预估明年营收占比将低于10%。

IET-KY今天下午参加柜台买卖中心线上法说会,由于IET-KY日前宣布与韩国IVWorks公司合作,共同开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓(GaN)磊晶片,此项合作案成为今天线上法说会投资人询问的焦点

高永中表示,由于氮化镓生长温度很窄,且生产过程无法全程监看,IVWorks运用混合式MBE技术(Hybrid-MBE),也就是利用氨和电浆搭配的氮源进行磊晶,以最佳化质量和生长速率,该公司开发机器学习的人工智能(AI)磊晶监控系统“Domm”,透过深度学习算法检测分析反射高能电子衍射(RHEED)图像,使该系统可以在MBE磊晶过程中,即时监控原子层级晶体生长表面,运用学习数据集来建立预测模型,并以该预测模型应用于磊晶片质量,提高生产良率,而英特磊以分子束磊晶片生产机台(MBE)成长磊晶片于砷化镓磷化铟、锑化镓基板产品应用于电子及光电产业,两家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技术方面即有密切合作,技术和行销联盟的框架于2019年形成,利用英特磊在MBE的量产经验模式,以及硬体设备自主改造升级实力,可迅速将GaN磊晶片导入与IVWorks合作的产品组合,这是结合IVWorks的先进MBE GaN长晶和AI技术,以及英特磊的大规模MBE磊晶生产和硬体设备自主经验与能力,共同开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务模式,这是互相授权全面合作,共同推展产品,但他强调,IET-KY不会投资IVWorks公司。

除与IVWorks公司合作,IET-KY氮化镓(GaN)机台已组装完成试机中,预计9月开始试产,目前公司亦已取得美国能源部合约,发展GaN/Si电力应用元件,高永中表示,今年氮化镓处于送样阶段,预计明年至少再增加1台机器,明年相关产品营收占比低于10%,2022年要看发展状况,公司也将视情况增加机台。