高通续用三星怕翻车？ 传台积电4奈米抢下肥单关键时间

台积电4奈米有机会在2022年拿下高通订单。(图/达志影像)

美国行动处理器大厂高通(Qualcomm)去年发表最新一代的5G旗舰产品Snapdragon 888 (S888)5G行动平台，采用三星5奈米制程，但却传出处理器过热问题，甚至还输给高通前一代采用台积电7奈米制程的S865处理器。对此，媒体报导指出，高通下一代旗舰级产品可能找上台积电4奈米制程。

受到陆美贸易战冲击以及定价优势，台湾IC设计大厂联发科去年市占率正式超越高通，但高通的5G处理器仍有强大竞争力，原本去年推出S888打算抢攻高阶处理器市场，但随着S888翻车情况被爆出，联发科1月20日最新款5G旗舰级系统单晶片 (SoC)天玑1200与天玑1100，采用台积电6奈米制程，在5G、AI、拍照、影片、游戏等全方面的表现，满足消费者超快速无线连结体验。

对此，高通则是抢在联发科发表新品前推出S870 5G行动平台，但并非使用三星5奈米制程，而是台积电7奈米制程。

据《digitimes》报导，内部人士消息指出，高通将继续采用三星5奈米制程生产该公司下一代5G旗舰级处理器S895，但很有可能在2022年采用台积电4奈米制程生产。

至于为何高通近期将订单释给三星，市场人士指出，这与台积电产能满载、无法再排出更多生产线给客户。为此，台积电今年2021年资本支出上调至250亿美元至280亿美元，调高约45~62％。台积电表示，因应台积电先进制程与特殊制程应用，与客户需求大增，大幅调整资本支出规模，80％将用于3奈米、5奈米、7奈米等先进制程，10％用于先进封装技术，10％用于特殊制程。

台积电在去年8月举行的年度盛会「全球技术论坛」提到，基于5奈米制程技术的4 奈米制程，预计2022 年量产，较先前指出2023年量产提早1年。至于三星，则是澄清没有放弃4奈米制程，破除媒体传言。

双方目前在3奈米制程研发阶段，并采用先进封装技术，台积电董事长刘德音日前指出，3奈米制程有机会在今年下半年开始试产，并延续FinFET技术，预计明年量产。市场消息指出，三星在3奈米制程已经开始采用GAA技术，但传出研发时程延迟1季。