路透：三星的八層HBM3E晶片已通過輝達測試 Q4有望供應

三星电子在首尔的办公室。美联社

路透引述三位消息人士说法报导，三星电子的第五代高频宽记忆体晶片HBM3E已经通过辉达（Nvidia）测试，可用于辉达的AI处理器上。

取得这一资格，为三星电子扫清一个重大障碍。在供应能够处理生成式AI任务的高阶记忆体方面，三星一直在努力追赶南韩同业SK海力士。

路透报导指出，消息人士表示，三星和辉达尚未签署这款已获通过的8层HBM3E晶片供应协议，但很快将签署，预期今年第4季就会展开供应。

不过消息人士说，三星的12层HBM3E晶片尚未通过辉达测试。由于此事仍属机密，消息人士拒绝具名。

三星和Nvidia均拒绝置评。

HBM是一种动态随机存取记忆体或DRAM标准，于2013年首次推出，其中的晶片采用垂直堆叠方式，以节省空间并降低功耗。HBM是AI绘图处理器（GPU）的关键组件，可帮助处理复杂应用程序产生的大量数据。

据路透5月引述消息人士报导，三星自去年以来一直在寻求通过辉达对HBM3E以及之前第四代HBM3晶片的测试，但由于发热和功耗问题而未能成功。

据知情人士透露，该公司此后已修改了HBM3E的设计以解决这些问题。

在路透5月发出报导后，三星表示，有关其晶片因发热和功耗问题未能通过辉达测试的说法不实。

据路透上个月报导，辉达最近核准了三星HBM3晶片，可用于为中国市场开发的较不复杂的处理器。

据研究业者集邦科技，HBM3E晶片很可能成为今年市场上的主流HBM产品，出货量将集中在下半年。SK海力士估计，到2027年，HBM记忆体的总体需求年增速可能达到82%。

三星7月曾预测，到第4季，HBM3E晶片将占其HBM晶片销量的60%。许多分析师表示，如果其最新的HBM晶片能在第3季前获得辉达的最终核准，这一目标就可以实现。