美半导体在地化 将盖2座园区

美商务部长雷蒙多。图／美联社

美国商务部长雷蒙多（Gina Raimondo）稍早宣布，美国政府将运用《晶片法案》编列的经费，在2030年前打造至少2座结合生产线、研发实验室、封测厂及上游供应商的半导体园区。

雷蒙多预定23日在乔治城大学发表演说，届时将说明国内外半导体业者对《晶片法案》相关补助的详细申请办法。她在行前简报中表示：「我们若在2030年前打造两座半导体园区，美国将有能力设计并制造全球最先进半导体。」

雷蒙多并未透露上述两座园区所在位置，但外界推测英特尔、三星电子及台积电计划投资的亚利桑那州、俄亥俄州、德州都在候选名单内。

英特尔已宣布分别在亚利桑那州及俄亥俄州投资200亿美元建厂，台积电也提出价值400亿美元的凤凰城投资计划，而三星则是在德州投资173亿美元。

美国总统拜登在去年8月签署的《晶片法案》提供390亿美元补助，用来鼓励国内外半导体业者在美投资建厂或推动厂房现代化，另有120亿美元支出用来推动半导体研发计划。

《晶片法案》生效以来有不少人质疑补助分散后，各家业者受惠有限，且美国能否找到足够技术劳工协助建厂并维持厂房营运还是个问题。雷蒙多对此表示，政府将要求半导体业者与高中及社区大学建教合作，未来几年可望培养出超过10万名技术人员。

现任商务部顾问的乔治城大学安全及新兴科技中心分析师杭特（Will Hunt）曾在去年报告中表示，《晶片法案》提供的补助足以让英特尔、三星、台积电长期投资美国，让美国晶片制造满足国内需求直到2027年。

雷蒙多表示《晶片法案》的宗旨不是为了帮助半导体产业度过周期低谷，也不是为了让半导体业者在美国创造更多获利，而是为了实现国安目标，因此商务部将依据国安标准来筛选补助对象。