美光1β制程DRAM量产就位

美光1β是全球最先进的DRAM制程节点，象征美光自2021年1α制程量产以来，市场领导地位再下一城。1β节点降低功耗约15％，提升位元密度超过35％，每颗晶粒容量可达16Gb。随着LPDDR5X开始送样，行动装置生态系将率先受惠于1β制程DRAM所带来的效能显著提升，同时功耗更低。

美光1β制程技术的单位位元功率更低，为智慧型手机提供市场上最节能的记忆体技术。功耗降低关键在于1β节点LPDDR5X采用全新JEDEC增强型动态电压与频率调整核心技术（eDVFSC）。在DDR产品类别加入速率可高达3,200Mbps的eDVFSC可强化节能控制，根据独特的最终用户使用模式，提高电源使用效率。

美光1β节点可将更高的记忆体容量塞入更小的空间内，从而降低每位元资料的成本。尽管业界已开始改用极紫外光（EUV）设备来克服技术挑战，美光仍利用先进奈米制造能力与微影技术来跳过尚在新兴阶段的EUV技术，亦即应用美光先进多重曝光和浸润式微影能力，以最高精确度做出这些微小的电路特征。节点进一步缩小带来容量提升，可让智慧型手机和物联网装置等体积较小的装置涵纳更多记忆体。

为了让1β和1α制程发挥竞争优势，美光过去几年也积极推动卓越制造、提升工程技术能力、强化开创性研发。加速创新首先让美光比竞争对手提前一年实现前所未有的1α节点量产，达成公司史上首次在DRAM和NAND Flash两个领域同时居于市场领导地位。

美光多年来投资数十亿美元，将晶圆厂转变为先进、高度自动化、由人工智慧驱动的永续营运设施，其中也包括美光对日本广岛厂的扩大投资，广岛厂将以1β制程量产DRAM，台湾厂区后续也会导入1β制程技术，而美光预计支援EUV技术的1γ奈米会在2024年之后进入量产。