DRAM新纪元！美光率先以1Z制程量产16Gb DDR4
美光（Nasdaq: MU），今（27）日宣布要开始使用1z奈米制程技术，成为全球第一家量产16Gb DDR4产品的记忆体公司，迈入DRAM新纪元；同时推出业界最高容量的单片16Gb低功率双倍资料速率4X（LPDDR4X）DRAM。
与上一代 1y奈米节点相比，1z奈米16Gb DDR4产品显著提高位元密度、大幅增进效能并降低成本。同时，它也促进美光持续改善其运算 DRAM（DDR4）、行动 DRAM（LPDDR4）和图形 DRAM（GDDR6）产品系列的相对效能和功耗。对于包括人工智慧、自动驾驶车辆、5G、行动装置、图形、游戏、网路基础设施和伺服器等应用而言，功率和效能之间的优化平衡是关键的差异化因素。
美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示，现今扩充DRAM条件变得更加复杂，美光开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现了世界级的工程和制造能力。
透过量产16Gb DDR4记忆体解决方案，美光开始将技术移转至1z奈米，使用更小的节点进行生产带来多项优势，包括功耗较上一代 8Gb DDR4产品降低约40%；美光全面的1z奈米DDR4产品组合也满足资料中心对更高效能、更高容量和更低功耗，日益增长的需求。
此外，美光今日也宣布公司已开始批量出货基于 UFS 规范多晶片封装 （uMCP4） 的业界最高容量单片 16Gb 低功率双倍资料速率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 满足了行动装置制造商寻求更低功率和更小封装，以设计具有吸引人的规格尺寸和长电池寿命的装置需求。