美光效能最強、延遲最低創新主記憶體MRDIMM送樣 支援AI PC和HPC應用

美光效能最强、延迟最低创新主记忆体MRDIMM送样支援AI PC和HPC应用。（路透）

记忆体大厂美光今日宣布其多重存取双列直插式记忆体模组 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM） 开始送样。MRDIMM 让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥运算基础架构的最大价值。

针对记忆体需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光MRDIMM的效能更胜目前的矽晶穿孔型 (TSV) RDIMM，实现最高频宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦效能，加速记忆体密集型如虚拟化多租户、HPC 和 AI 资料中心等的工作负载。今日开始送样的记忆体是美光MRDIMM系列的第一代产品，与Intel® Xeon 6处理器相容。

美光副总裁暨运算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示，美光最新推出的创新主记忆体解决方案MRDIMM以更低的延迟提供业界迫切需要的高频宽与大容量，有助在下一代伺服器平台上实现大规模AI推论和高效能运算（HPC）应用。MRDIMM显著降低每项任务的功耗，同时延续了与RDIMM相同的可靠性、可用性和可维护性功能与介面，为客户提供灵活扩充效能的解决方案。新产品不仅能够无缝整合到现有伺服器基础架构中，更可顺畅衔接未来运算平台。

MRDIMM技术采用DDR5 的物理与电气标准，带来更先进的记忆体，每核心的频宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，更满足资料中心工作负载日益成长的需求。

美光强调，领先业界的记忆体设计使用 32Gb DRAM 晶粒制程技术，只需花费16Gb 晶粒制程128GB TFF MRDIMM的功耗即可享受256GB TFF MRDIMM的效能。在最高资料传输率下，256GB TFF MRDIMM 的效能较同容量的 TSV RDIMM 提升35%。采用 256GB TFF MRDIMM，资料中心可享受前所未有的整体拥有成本（TCO）优势，大胜传统TSV RDIMM。

英特尔副总裁暨Xeon 6资料中心产品管理总经理 Matt Langman 表示，MRDIMM采用DDR5 介面和技术，能与现有的 Xeon 6 CPU 平台无缝相容，为客户提供选择弹性。MRDIMM 为客户带来更高频宽、更低延迟，以及多种容量选择，适用于 HPC、AI 及其他大量工作负载，这些工作负载一样都能继续运行在支援标准 DIMM的 Xeon 6 CPU 平台上。

美光表示， MRDIMM现已上市，并将于2024年下半年开始大量出货。