美國擬限制GAA技術出口大陸 三星晶圓代工首當其衝

美国拟限制GAA技术出口大陆，三星晶圆代工首当其冲。路透

美国拟限制对中国大陆出口 GAA ( 环绕式闸极 ) 技术，限制中国大陆获取应用于人工智慧晶片的 GAA 技术，由于目前三星晶圆代工已先导入 GAA 架构，法人预期，三星晶圆代工首当其冲，至于后续英特尔、台积电（2330）等计划量产采用 GAA 架构设计量产的厂商影响尚待观察。

由于GAA 技术与目前广泛使用的 FinFET 技术不同，被业界视为提供更细微的调整选项，以优化效能、功耗及密度，预期将是2奈米以后主流架构。

外电报导，美国政府考虑限制中国大陆获取应用于人工智慧晶片上的 GAA 技术。新措施将不会直接禁止 GAA 晶片的出口，而是针对制造这些晶片的技术。

外电也报导，美国政府内部也在讨论对 HBM 技术的出口限制，但尚未决定是否会与 GAA 技术的限制一同实施。不过目前相关限制措施的最终决定时间尚不明确。

晶圆代工厂当中三星电子晶圆代工是率先在3奈米就导入 GAA 架构，先前韩国经济日报报导，超微执行长苏兹丰日前参加比利时微电子研究中心（imec）的2024年全球技术论坛（ITF World 2024）时，发表以3奈米环绕式闸极（GAA）技术量产下一代晶片的计划，并表示会以3奈米 GAA 电晶体作为改善效率与效能、强化封装与互联的触媒，由于目前三星电子是唯一推动商业化 GAA 架构3奈米制程的晶片制造商，去年率先全球以 GAA 架构的3奈米制程生产先进晶片。超微相关讯息让外界认为将和三星制造深化合作。

GAA 架构业界普遍认为2奈米才会成为主流，于日前举行的2024年 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，比利时微电子研究中心（imec）推出一款开放式制程设计套件（PDK），该套件配备一套由 EUROPRACTICE 平台提供的共训练程式。利用这款套件，将能透过 imec 开发的2奈米环绕闸极（GAA）技术来进行虚拟数位设计，包含晶背供电网路。

Counterpoint Research 日前报告提到，对于未来发展，环绕式闸极结构（GAA）技术的发展，为晶圆厂设备市场带来新的增长机会。同时，AI、汽车和物联网（IoT）领域的投资增加，将进一步推动晶圆厂设备的需求，促进整个半导体行业的创新和发展。