美晶片法案自掘坟墓？外媒曝1大死穴：没有赢家

美国晶片法案恐沦为没有赢家的失败政策。（示意图/达志影像/shutterstock）

美国总统拜登签署的527亿美元《晶片法案》正式开始执行，其中390亿美元将用于扩建和新建半导体工厂的补贴，但却设下多项条件，包括分润条款以及提供孩童托育方案等引发争议，英国《金融时报》撰写社论指出，该法案附加太多政策目标，却忘记了晶片制造商当初迁至海外的部分关键，正是因为美国生产成本太高。

该篇社论表示，美国占全球晶片制造能力的份额，已从1990年的37%下降到12%，更重要的是，台厂台积电生产全球90%以上的高阶晶片，令美国担忧这个状况会造成美国国安危机。

美国砸钱推动《晶片法案》但却设下多项条件，包括未来10年不可在中国扩产，也不能将这笔资金用于购买库藏股或分红，备受争议的规定还包含业者必须与联邦政府分享超额利润，支付工会的建筑工资，并确保劳工获得负担得起的托育服务。该篇社论称，尽管《晶片法案》其中一些目标是可以理解的，但综合起来，表明白宫正试图扩大一项倡议，其已涵盖太多目标。

该社论提到，晶片制造商转移到海外的部分原因是美国生产成本太高，白宫应该努力减轻成本和监管负担，而不是增加企业的成本；此外，如果美国政府不与美国盟友就此法案进行协调，补贴政策就不可能使任何一方成为赢家。