瞄准三大商机 汉磊嘉晶备战

汉磊、嘉晶上半年营运一览

国际IDM厂全力抢进宽能隙（WBG）材料的氮化镓（GaN）及碳化矽（SiC）等新一代金氧半场效电晶体（MOSFET）市场，也带动许多GaN及SiC新创IC设计业者加入战局。看好GaN、SiC晶圆代工及磊晶矽晶圆需求，汉磊投控（3707）旗下晶圆代工厂汉磊科、磊晶矽晶圆厂嘉晶（3016）等已经准备好了，6吋WBG制程正式进入量产，下半年将开始扩大接单。

2019年上半年功率半导体晶圆代工及磊晶矽晶圆市况不佳，在产能利用率下修情况下，汉磊投控及嘉晶财报表现不尽理想。嘉晶上半年合并营收20.21亿元，毛利率降至8.0％，归属母公司税后净利0.31亿元，每股净利0.11元。加计汉磊科的汉磊投控上半年合并营收27.99亿元，毛利率降至1.6％，归属母公司税后净损2.29亿元，每股净损0.81元。

近几年来包括电动车及绿能电力储存等应用兴起，5G及大型资料中心等高效能运算及高速资料传输需求大增，能够支援更高工作电压的SiC元件，以及可以有更高切换开关速度的GaN元件，已经成为功率半导体市场新显学。随着国际IDM厂开始量产各式SiC及GaN功率元件及模组，许多新创IC设计公司也加入战局，老叶新枝在WBG元件市场百家争鸣，也带动SiC及GaN晶圆代工需求在下半年进入高速成长期。

汉磊投控很早就开始投入WBG制程研发，旗下晶圆代工厂汉磊科顺利在7月开始量产6吋WBG制程，受到市场高度关注。汉磊科2015年开始投入WBG材料电晶体生产，除了利用4吋厂为客户代工600V～1200V的SiC萧特基二极体（SBD）及SiC MOSFET，6吋厂已开始为客户提供SiC晶圆代工服务。

汉磊科朝向1700V更高压的SiC SBD元件技术发展，并投入SiC沟槽式MOSFET代工，6吋SiC晶圆代工生产线可带来更大优势，加上汉磊科在背面减薄技术上有所突破，可以将SiC晶圆减薄至100微米，旗下三座晶圆厂都已通过车规认证，未来在SiC元件晶圆代工市场将占有一席之地。

汉磊科亦提供6吋的矽基氮化镓（GaN on Si）晶圆代工服务外，亦与特定客户合作开发0.5微米的30V～350V电压GaN MOSFET及100V以下电压GaN IC的增强型高电子迁移率电晶体（E－mode HEMT）制程，并已可以接单量产。

至于同属汉磊控股下的嘉晶已量产WBG磊晶矽晶圆，包括600V～1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圆可以开始出货给客户，并推出100V～600V的6吋矽基GaN磊晶矽晶圆，这是拥有自有专利的磊晶技术，而且具有低阻值磊晶增加电流密度特性。