汉磊、嘉晶扩产 迎爆发性成长

汉磊、嘉晶月合并营收表现

晶圆代工厂汉磊（3707）及转投资磊晶厂嘉晶（3016）积极扩建氮化镓（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代宽能隙半导体产能，在手订单能见度已看到明年上半年。

汉磊暨嘉晶董事长徐建华表示，汉磊是台湾第一家率先扩增SiC产能的晶圆代工厂，嘉晶是台湾唯一拥有GaN及SiC量产磊晶供应商，今年将积极扩大产能以迎接产业爆发性成长商机。

汉磊及嘉晶受惠于国际IDM大厂扩大委外，加上今年价格再度调涨，4月营收同创历史新高，第二季维持乐观展望。汉磊4月合并营收月增0.4％达7.38亿元，较去年同期成长29.8％，累计前四个月合并营收28.45亿元，较去年同期成长29.8％。嘉晶公告4月合并营收月增0.7％达5.06亿元，较去年同期成长28.0％，累计前四个月合并营收19.79亿元，较去年同期成长31.0％。

汉磊及嘉晶在致股东营运报告书中，说明将全力扩大布局GaN及SiC等第三代半导体相关产品的营业规模，以掌握半导体绿能及车用市场领域商机。徐建华在报告书中指出，汉磊去年营运转型成功，全年度转亏为盈，今年将在此基础上持续强化营运效率及导入高附加价值产品线，投资重点锁定在进入爆发成长的第三代半导体。

汉磊因IDM厂扩大下单包产能，功率半导体晶圆代工产线满载到年底，包括GaN及SiC晶圆代工订单能见度更已看到明年上半年。汉磊4吋及6吋SiC晶圆代工均已量产，合计月产能达1,000片6吋约当晶圆，今年将以6吋为扩产重点项目，希望今年内可扩增一倍至2,000片。至于6吋GaN晶圆代工接单满载，月产能将在今年增加一倍至2,000片。

嘉晶4～8吋磊晶矽晶圆月产能合计40万片，在供不应求情况下价格将逐季调涨。嘉晶去年底GaN磊晶片月产能约2,000片，SiC磊晶片月产能约600片，而嘉晶将投入4,000～5,000万美元扩产，2～3年内SiC磊晶片产能要增加7～8倍，GaN磊晶片产能要增加2～2.5倍。

徐建华表示，汉磊6吋SiC产线将快速进入量产并扩大产能，并且是台湾第一家率先扩增SiC产能的晶圆代工厂，在全球客源开发上占有极佳优势，并持续扩大车用领域布局。嘉晶在化合物半导体相关应用深耕多年，是目前国内唯一一家拥有SiC与GaN量产的磊晶供应商。汉磊及嘉晶将积极扩产以迎接产业爆发性成长商机，期许未来几年营运持续成长。