尼克森、富鼎 大啖电动车商机

SiC、GaN由于具备低功耗、高转换效能等特性，因此国际IDM大厂已经开始率先量产，先行应用在国防、电动车及资料中心等高阶市场，由于后续市场规模有望随着5G、电动车等终端需求不断看增，因此国内MOSFET厂也开始投入相关领域，争抢相关商机。

目前台湾MOSEFT厂当中，尼克森、富鼎等两家MOSFET在SiC、GaN脚步相对较迅速，其中尼克森已开始投入第二代SiC、GaN等技术研发，最快有望在2022年传出好消息，至于富鼎在SiC领域上则以萧特基二极体（Schottky Diode）开发样品，同样可望搭上未来第三代半导体商机。

不过，由于相关第三代半导体商机在高阶市场早已被IDM大厂相继卡位，因此台湾MOSFET厂后续要切入5G、电动车市场相对较为困难，但法人看好，MIH电动车开放平台联盟将有望打破目前窘境，代表尼克森、富鼎将有机会借此攻入5G、电动车市场。

不仅如此，鸿海先前对外宣告，先前买下的新竹六吋厂将会打造为SiC、GaN等第三代半导体生产基地，预期将在2023年进入量产，但2022年上半年将会率先投入量产，主要针对目前市场上缺少的半导体元件。

目前半导体市场仍呈现供需吃紧状态，其中富鼎、尼克森所进攻的MOSFET市场亦在八吋产能吃紧情况下，呈现缺货状态。