尼克森 抢食5G、电动车有望

5G及电动车浪潮推动下，能承载更高电压、效率更好的碳化矽（SiC）已经成为国际大厂抢攻的新蓝海，金氧半场效电晶体（MOSFET）尼克森（3317）2019年已经完成开发SiC高压MOSFET，2020年将进军大电流及第三代绝缘栅双极电晶体（IGBT）领域，未来抢食5G、资料中心及电动车市场可期。

5G、电动车需求持续推动下，开始加速SiC相关元件技术发展，由于SiC对比现在采用的矽（Si）在耐电压方面有大幅提升，SiC可承受电压几乎都是600V起跳，且具备低功耗特性，因此对于能源转换效率上明显优于过往产品，未来将可望被大量应用在5G、电动车、资料中心及消费性市场。

据了解，随着欧盟环保法规不断强化，新一代汽车、电动车都必须提升能源转换效率，SiC及GaN等宽能隙制程已经成为一级零组件大厂抢攻的焦点，另外5G由于功率提升，因此功耗亦相较4G提升，举凡基地台及其他基础建设也开始有采用SiC及GaN的趋势，显示相关商机十分庞大。

由于商机十分广大，因此举凡意法半导体及英飞凌等国际大厂都相继投入这块市场，并开始逐步量产出货，抢食这块SiC商机。

市场传出，尼克森不落人后，已经完成开发SiC制程平台的600V及1200V的Power MOSFET产品线，有机会在2020年开始出货，抢攻这块SiC新蓝海市场。不仅如此，尼克森规划在2020年投入新一代的SiC制程平台研发，预计将会抢攻650V及1200V的大电流Power MOSFET等新产品研发，提前布局后续即将爆发的SiC市场，且在新世代功率半导体市场表现也领先同业。

另外，IGBT产品部分，尼克森亦有所斩获。法人指出，尼克森2019年已经完成第二代650V截止型（FS）IGBT研发，预期2020年将再度投入第三代650V及1200V的IGBT研发，可望在2020年传出好消息。

观察尼克森近期业绩表现，4月合并营收月成长21.5％至2.46亿元，写下五个月以来高点。法人看好，尼克森第二季将可望受惠于PC市场需求成长，带动MOSFET出货上扬，缴出明显优于第一季的成绩单。