鸿镓攻GaN快充 抢5G通讯、电动车商机

鸿镓与日本NTTAT持续合作，布局氮化镓元件，迎接电动汽车产业及5G通讯的快速起飞。研发团队在日本NTT-AT GaN磊晶技术基础上，致力于GaN FET元件应用开发，短短不到三年的时间，已经拥有高达35个GaN FET相关专利，运用于GaN快充、5G基地台RF（射频元件）、激光雷达（LiDAR）等重要产品。

鸿镓表示，氮化镓技术是38W-100W双口快充最佳选择，可满足手机笔电大厂需要轻薄短小的电源机身设计，合乎省电节能减碳国际趋势。据研究机构Trend Force预测，2022年智慧手机产量将高达13.9亿支，目前苹果、三星、小米等手机品牌业者，已陆续取消附赠充电器，直接造成快充需求快速成长。

而GaN应用在快充市场的渗透率也逐年跳升，预测2025年将达到60％以上，GaN快充市场销售额将以55W-65W为主流，目前2020年55W-65W市占率已达七成。鸿镓科技氮化镓功率元件全面布局在电源，主攻5G通讯、电动车，公司看好明年业绩有机会出现爆发性成长。