三星電子HBM晶片據悉未能通過Nvidia測試 因有發熱和功耗問題

三星电子HBM晶片传出未能通过Nvidia测试，主因是发热和功耗问题。路透

三星电子最新的高频宽记忆体（HBM）晶片因发热和功耗问题，尚未能通过辉达（Nvidia）的测试。

路透报导，根据三位知情人士，这些问题影响到三星的HBM3晶片（这是目前AI绘图处理器（GPU）中使用最多的第四代HBM标准），以及这家南韩科技巨擘及其竞争对手今年推向市场的第五代HBM3E晶片。

三星提供声明给路透说，HBM是一种客制化记忆体产品，需「根据客户需求进行优化」，并补充说，三星正透过与客户的密切合作来优化产品。该公司拒绝就特定客户置评。

Nvidia谢绝评论。

Nvidia在全球AI应用GPU的市占率大约是80%，满足Nvidia的需求被视为HBM制造商未来成长的关键，声誉或利润皆然。

三位消息人士透露，三星去年开始一直努力想通过Nvidia对HBM3和HBM3E的测试。其中两位透露，最近一次对三星8层和12层HBM3E晶片测试的失败结果是在4月出炉。

这些问题是否易于解决，目前还不明朗。但三位消息人士说，未能达到Nvidia的要求标准，增加了业界和投资人的担忧，三星可能在HBM方面进一步落后竞争对手SK海力士和美光科技。