三星Galaxy S9、S9+外观、电池容量、发表时间等传闻整理
2017 年 Galaxy S8 系列与 Note8 系列让三星电子在行动通讯事业方面有了正向的成长，这也使得接下来的 Galaxy S9 系列备受关注，由于最近曝光的消息相当零散，《ETtoday新闻云》特别整理了一下近期传闻，提供给读者参考。
＊2018年初发表
根据最早的传闻指出，三星电子打算提前发表旗下新一代旗舰机Galaxy S9、Galaxy S9+，时间可能将会订在 2018 年 1 月，甚至还传出将于 CES 2018 期间亮相，当然依照三星历年的作法，CES 期间仍有许多事情需要交代，或许可以期待的是 CES 2018 期间出现该款手机的预告，同时公开发表会时间与地点。
＊10nm处理器
依据高通的说法，在 2018 年初，Snapdragon 845 采用的 10nm 技术已经相当成熟，因此「除了三星之外」，在同时间还会有其他手机厂商会采用该行动平台。换言之，三星Galaxy S9、S9+ 除了采用自家 Exynos 最新一代旗舰处理器外，将可望采用高通最新的 S845 行动平台，关于该行动平台的相关介绍，可参照下方连结报导：
▲三星S9 系列将采用 10nm 的高通S845行动平台。（图／记者洪圣壹摄）
关于 Galaxy S9 系列的渲染图相当多，不过根据近期曝光的正面面板照，再搭配消息向来准确的 Onleaks 释出的渲染影片来看，几乎可以确认 Galaxy S9 系列的正面除了边框厚度比 S8 系列薄一点之外，外观可能跟S8、甚至Note8 都差不多，不过主镜头维持单颗，保留实体指纹辨识，却移除了心率侦测模组，实体指纹辨识模组跟单镜头的排列也改为垂直排列，这是比较大的变化。
根据 etnews 报导，三星电子已经成功开发，并于今年（2017）11 月生产一秒钟内可拍摄1000张照片的高速影像感光元件组，应用原理主要是透过堆叠在感光元件底下的逻辑芯片搭配 TSV (Through-Silicon Via)封装技术来临时存储数据的DRAM芯片所制成。
这项解决方案与 SONY 相同，都是在底层导入可以临时存储数据的 DRAM 芯片，差别在于，三星电子透过所谓热压接（TC）的贴合方式来连接DRAM，借此解决相机过热问题。消息人士透露，三星电子最快，将于 11 月 17 日生产出第一批这种三层式堆叠的感光元件，预期将会被用在下一代Galaxy智慧型手机(也就是Galaxy S9)当中。
＊详见：传Galaxy S9将采用三星全新感光元件 每秒可拍1000张照片
▲传 S9 系列将采用单镜头设计，并采用全新感光元件，可拍摄出超级慢动作的影片。（图／Galaxy S8+资料照，记者林世文摄）
＊快充更快、电池容量更大
来自中国媒体曝光的消息来看，Galaxy S9 的电池容量3200mAh的电池，比 Galaxy S8 还要多 200mAh。而依照高通提供的数据，搭载高通 Snapdragon 845 行动平台的Galaxy S9 系列，预计可以待机 20 天，可能也将支援最新的QC 4.0+，手机从 0% 充电到 50% 只要花 15 分钟。
以上是目前为止，比较可信的 Galaxy S9 传闻整理，相关内容除了 Snapdragon 845 行动平台在内，都未经过三星电子官方承认，或许 CES 2018 会有更多消息出现，相关后续，《ETtoday新闻云》将会进行追踪报导。