厦门市三安集成电路申请HEMT晶体管及其制作方法、射频模组专利，提高氮化镓射频器件的耐压能力和功率等级

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种HEMT晶体管及其制作方法、射频模组”的专利，公开号CN 119364799 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种HEMT晶体管，包括衬底、半导体外延层、设置在半导体外延层的源极、漏极和栅极，源极和漏极相对设置，栅极设置在源极和漏极之间，以及第一场板结构、第一钝化层，第一钝化层覆盖于栅极上方，第一场板结构设置在第一钝化层上，第一场板结构设置于栅极与漏极之间，第一场板结构靠近漏极设置。本发明提供的一种HEMT晶体管，在栅极和漏极之间设置第一场板结构，且第一场板结构靠近漏极设置，如此能够将集中在漏极欧姆区域边界位置的电场进行均匀调制，提高了氮化镓射频器件的耐压能力和功率等级。

天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目83次，专利信息324条，此外企业还拥有行政许可105个。

本文源自：金融界

作者：情报员