台积电CoWoS夯 两大厂抢搭商机

随着晶片制造工艺逐渐接近物理极限，先进封装技术成为提升运算效能的关键。晶片制造商与记忆体大厂积极合作，共同开发晶片封装解决方案，以满足未来AI对运算能力的庞大需求。

HBM和CoWoS技术互补，HBM的焊盘设计和短走线要求，需要CoWoS等2.5D先进封装技术来实现。

透过3D堆叠和2.5D先进封装技术，以TSV／Microbump实现晶片间垂直方向的互联，大幅增加I／O介面数量、提高记忆体频宽，再透过2.5D CoWoS封装和AI算力晶片结合，充分释放算力性能。其中，辉达的H100即采用台积电CoWoS封装，将H100 GPU与6个HBM堆叠。

台积电法说会指出，CoWoS先进封装产能持续吃紧，2024年产能目标翻倍以上成长、仍不足以满足客户需求；三星同样投入2.5D封装技术，内部命名为I-Cube，借此争取从HBM到后段封装的一站式服务，包括NVIDIA、超微（AMD）等都是积极锁定的客户。

不过，几乎所有的AI创新者都与台积电合作，以解决对节能运算能力永无止尽需求的AI相关需要。

SK海力士与台积电合作密切，双方近期更签署MOU，计划于后年投产HBM4；三星电子联席CEO庆桂显也于近日亲自拜访台积电，推广自家最新高频宽记忆体（HBM），希望借由台积电采用，打入更多GPU客户。

对此，台厂供应链则乐见其成，随着国际三大厂往HBM发展，排挤传统DDR产能，可望受惠；OEM／ODM则有望在多元竞争下，取得更有竞争力之HBM产品，同样有利于供应链发展。