为了英伟达你追我赶！三星用4nm豪赌HBM4 SK海力士却瞄准了硅中介层

《科创板日报》7月16日讯（编辑 朱凌）从HBM3E芯片的10nm制程，一下子跳到4nm制程，三星正企图在第六代高带宽内存芯片（HBM4）超越SK海力士与台积电，夺回主导地位。韩国经济日报援引消息人士的话称，三星将采用4nm制程生产HBM4芯片逻辑裸晶，超出了业界预期的7~8nm制程。

尽管4nm制程成本比7~8nm制程高得多，但在性能和功耗方面拥有巨大优势。三星4nm制程的良品率已经超过70%，已应用于三星Galaxy S24旗舰手机的Exynos 2400处理器。

伴随着AI热浪，以英伟达为代表的GPU龙头对HBM的需求不断增长。HBM由数个DRAM颗粒和逻辑裸晶垂直堆叠组成，而逻辑裸晶位于底部，负责控制DRAM，是HBM的核心部件。

在第五代HBM3E及之前，逻辑裸晶均由存储器厂商生产。不过，为了满足客户定制化需求，从HBM4开始，需要经过代工流程。SK海力士也因此与台积电结成了“HBM4联盟”。

与SK海力士不同，三星自己就拥有晶圆代工部门，三星已经将晶圆代工部门员工派往HBM开发团队。AI相关计算需要消耗大量电力，更高的性能和更低功耗成为市场关注重点。三星通过内存部门和代工部门的紧密合作，从逻辑裸晶的设计阶段寻求优化，以最大限度地提高HBM4芯片的性能和功耗水平。

不过，三星的HBM目前仍没有通过英伟达的合格测试。据台湾电子时报最新报道，三星HBM3E将有望于第3季度获得认证出货，待相关程序完成后，将可量产供货。

当然，作为英伟达HBM3和HBM3E主要供应商的SK海力士不可能坐以待毙。其在今年4月就与台积电签署了谅解备忘录，合作生产HBM4，提高逻辑裸晶性能，并整合CoWoS技术。

当时有业内人士预计SK海力士的逻辑裸晶有望采用台积电7nm制程。而日前也有消息称，SK海力士将采用台积电5nm制程来生产HBM4逻辑裸晶，并聘请了经验丰富的逻辑设计工程师以提高HBM4的性能。

同时，为了与英伟达巩固HBM同盟，SK海力士正试图成为英伟达硅中介层供应商。据韩国媒体Money Today报道，SK海力士已向全球第二大封测厂Amkor协商供应硅中介层样品。SK海力士将自己生产的HBM和硅中介层等发送给Amkor，由Amko将把它们与英伟达等客户的GPU组装成AI加速器。