西安奕斯伟取得硅片刻蚀装置专利，避免下一个硅片与碎片重叠冲撞影响产品质量甚至损坏刻蚀槽

金融界2024年10月9日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司取得一项名为“一种硅片刻蚀装置”的专利，授权公告号CN 221812085 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种硅片刻蚀装置，涉及半导体制造技术领域。该装置包括：刻蚀槽以及承载部；所述承载部设置于所述刻蚀槽内，用于在所述刻蚀槽内对硅片进行刻蚀的过程中承载所述硅片；所述承载部上设置有多个与所述刻蚀槽连通的通孔，且所述承载部底部与所述刻蚀槽内底壁的距离小于预设值。本实用新型实施例的硅片刻蚀装置，通过在刻蚀槽内设置承载部，即使在刻蚀和清洗过程中发生了碎片，碎片也不会掉落在所述刻蚀槽内，避免频繁更换所述刻蚀槽内的刻蚀液，也能够避免在刻蚀槽内发生碎片且未及时清理的情况下，下一个硅片进入所述刻蚀槽内后与碎片重叠冲撞，影响产品质量甚至损坏刻蚀槽。

本文源自：金融界

作者：情报员