芯恩集成电路取得一种半导体工艺装置专利，避免反应副产物积累提高刻蚀量准确性

金融界2024年12月27日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司取得一项名为“一种半导体工艺装置”的专利，授权公告号 CN 222205560 U，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体工艺装置，基座的中心区域设置有通气孔，通气孔贯穿基座，通气孔与通气管道连通，泵环为环绕基座的环形侧壁，泵环设置有排气孔，垂直于基座中心轴的平面为第一平面，泵环与基座的边缘在第一平面上的投影之间存在预设距离以形成吹扫通道，通气管道与吹扫通道连通。本实用新型通过设置基座中心的通气孔，避免反应副产物积累在基台上，提高刻蚀量的准确性；同时通过在通气孔设置保护盖结构，避免通气孔的气体使基座上设置的待处理晶圆移位；另外，通过设置保护盖结构的定位杆可升降，在停止反应后封闭通气孔，进一步降低通气孔的气体对待处理晶圆的影响，提高操作便捷性。

本文源自：金融界

作者：情报员