英特尔结合晶片背部供电及直接背部接触的3D堆叠技术 延续摩尔定律

英特尔展示下世代电晶体微缩技术突破。图／英特尔提供

英特尔于IEEE 国际电子元件会议（IEDM）上，展示结合晶片背部供电和直接背部接触的 3D 堆叠 CMOS（互补金属氧化物半导体）电晶体的最新发展，同时分享最新晶片背部供电（例如背部接触）的研发突破，为未来的制程蓝图保留丰富的创新发展，凸显摩尔定律的延续和进化。

英特尔资深副总裁暨元件研究部总经理Sanjay Natarajan表示，目前正进入制程技术的埃米世代（Angstrom era），展望四年五节点的计划，持续创新比以往更加重要。在IEDM 2023上，英特尔展示相关研究进展，凸显能够引入领先的技术，为下一代行动运算实现更进一步的扩展和高效电力传输。

全球对于运算的需求呈现指数型增长，电晶体微缩和晶片背部供电是有助于满足此运算需求的两大关键。英特尔满足这样的运算需求，透过堆叠电晶体，将晶片背部供电推升到新境界，以实现更多的电晶体微缩和性能改善，同时也证明由不同材料制成的电晶体可以整合在同一晶圆上。

英特尔在持续微缩方面的创新，包括PowerVia晶片背部供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct封装技术，这些技术皆源于英特尔元件研究团队，预计将在2030年前投入生产。

在 IEDM 2023大会上，英特尔的元件研究团队展现对创新的坚持，开拓全新方式，在矽晶片上置入更多电晶体，实现更高性能。研究人员已确立如何透过有效堆叠电晶体、持续达成微缩的关键研发领域，再结合晶片背部供电和背部接触技术，推动电晶体架构技术发展。除了改善晶片背部供电和采用新型二维电子通道材料（2D channel materials），英特尔也将致力延续摩尔定律，在2030年达成单一封装内含1兆个电晶体。