《半导体》力成：明年Q2翻扬 乐观看明年下半、2025年

力成乐观看待2024下半年及2025年，力成执行长报告主要成长动能如下，记忆体跌幅已深，期待记忆体明年下半年强力反弹；量产高性能大尺寸FCBGA，也斩获得宜；已投资晶圆厂使用的CMP，明年中力成将具有记忆体Via middle晶圆Via reveal之能力，结合原本HBM堆叠技术，力成将成为少数OSAT具备HBM Via middle封装能力的公司。

力成多年来开发的大面板尺寸FO Chip first、Chip last、Chip middle等先进2.5D/3D封装将开始迎接新应用的到来；力成也将寻求与晶圆厂结盟开发细线宽、细TSV直径的SI interposer，结合已有的先进封装堆叠技术，提供客户除了CoWoS的另外一种选择。

以TSV连结的CIS CSP(晶圆级尺寸封装)，不管是否有附光学玻璃镜片均可以开始量产。用于监控、自动化及工业用的CIS CSP(晶圆级尺寸封装)将从今年第四季开始小量生产(LVM)，从2024年开始量产(HVM)。从明年第二季起，将有更多来自不同客户的专案引入力成。

力成用于人工智慧、伺服器、电动汽车等的电源模组/电源塔小量生产(LVM)及量产(HVM)时间分别将于明年第一季及明年第二季。