财报旺 美光：HBM供不应求

美国记忆体晶片大厂美光（Micron）受惠于AI需求，上季（2月底止）转亏为盈并发布乐观财测，激励股价在21日早盘大涨。图／美联社

美国记忆体晶片大厂美光（Micron）受惠于AI需求，上季（2月底止）转亏为盈并发布乐观财测，激励股价在21日开盘大涨18％。美光执行长梅罗特拉（Sanjay Mehrotra）20日在电话会议表示，美光今年的HBM（高频宽记忆体）产能已经销售完毕，明年的多数产能也已经被预定。HBM产品可望在本会计年为美光创造数亿美元营业额。

美光稍早预期本季（5月底止）营收约在64亿至68亿美元之间，中间值66亿美元高于华尔街预期的60亿美元。

美光也预期本季EPS约在0.10至0.24美元之间，高于华尔街预期的0.05美元。

美光上季营收年增58％至58.2亿美元，高于华尔街预期的53.5亿美元。美光上季净利7.9亿美元，与去年度同期的23亿美元亏损相比转亏为盈。排除一次性费用后，美光上季EPS达到0.42美元。华尔街原先预期美光上季每股亏损0.25美元。梅罗特拉表示，美光近来在价格、产品以及营运成本方面都下了许多功夫，才促成上季转亏为盈佳绩。

过去一年来记忆体晶片大厂纷纷减产，再加上AI产业爆炸性成长让辉达AI处理器需求爆量，连带造福上游记忆体晶片厂商。

梅罗特拉表示：「我们认为这波AI浪潮将带来多年商机，让美光成为半导体产业最大受惠者之一。」

对2024年DRAM和NAND Flash位元需求成长率预估，分别为接近15％及中十位数（mid-teens）成长率，然而，2024年DRAM及NAND Flash位元供给成长率，皆低于需求成长率。

美光超过90％的NAND Flash，采用176以及232层制程。至于HBM3E，将自第二季起开始贡献营收。

在资本支出方面，维持为75～80亿美元的金额（已考量美国政府补助），主要仍用于提升HBM相关产能。

美光表示，由于HBM采用更复杂的封装方式，使消耗的DRAM产能为DDR5的3倍，生产HBM，间接限制非HBM产品产能，使得整体DRAM市场供给改善。

对各终端2024年成长率看法方面，资料中心产业年成长率，由中个位数上调至中高个位数，PC产业年成长率维持为低至中个位数，AI PC将在2025年占市场一定份额，手机产业年成长率，则由温和成长上调至中低个位数。