EUV热 家登2021接单大爆发
微影设备大厂艾司摩尔（ASML）的极紫外光（EUV）曝光机在12月中完成第100台设备出货，预估2021年EUV曝光机产能可达45～50台规模，代表设备出货进入高速成长阶段。
由于台积电、三星、英特尔、SK海力士等半导体大厂均全力布建EUV生产线，法人看好家登（3680）极紫外光光罩盒（EUV Pod）2021年接单大爆发，出货量估年增2～3倍，营收及获利大跃进。
家登11月合并营收月减12.2％达1.67亿元，较去年同期减少35.2％，累计前11个月合并营收21.46亿元，较去年同期成长2.4％。家登对第四季营运抱持乐观看法，EUV Pod需求强劲，法人看好12月营收将有明显回升，第四季营收应可优于第三季。
半导体制程跟随摩尔定律持续微缩，EUV微影技术成为关键。以逻辑制程来看，台积电及三星晶圆代工的5奈米制程已量产，平均每片晶圆的EUV光罩层达10～14层，与采用EUV的7奈米相较增加一倍，至于3奈米EUV光罩层将提升至20层以上，对EUV Pod需求量呈现等比级数成长。
至于英特尔支援EUV技术的7奈米已试产并加速进行良率提升，预期2022年之后将导入量产。设备业者预估，英特尔7奈米EUV光罩层可望逐步接近晶圆代工厂的5奈米水准，英特尔的5奈米采用的EUV光罩层将会与晶圆代工厂3奈米相当，这也是为何英特尔现阶段已积极巩固EUV Pod供货产能的原因。
三星及SK海力士已开始扩建采用EUV技术的DRAM产线，美光虽然还未表态但已开始招兵买马预作准备。据业界消息，韩系记忆体厂第一代EUV的DRAM制程约采用2层EUV光罩层，但第二代将增加至4层。由于DRAM厂投片规模庞大，单一厂区的月投片量高达20～30万片，若全数转成EUV技术则对EUV Pod的总需求量并不输给晶圆代工厂。
艾司摩尔2020年EUV设备产能可支援35台出货量，12月中欢庆第100台EUV曝光机正式出货，2021年产能将提升至45～50台，包括台积电、三星、英特尔等半导体大厂都积极建置EUV产能及备品供应链。
由于全球EUV Pod只有家登及英特格（Entegris）两家供应商获得艾司摩尔及各半导体厂认证，且家登与英特格和解后的市占率已明显拉升，2021年接单大爆发且订单能见度看到年底，来自晶圆代工厂、IDM厂、记忆体厂的订单都较2020年增加逾一倍。