国研院 发表12吋丛集式ALD

国研院仪科中心与国内半导体设备供应商天虹科技，以「原子层沉积技术」（Atomic Layer Deposition，ALD）为关键技术，打造「12吋丛集式ALD设备」，突破高阶半导体设备自制瓶颈，摆脱制程技术受国外设备商箝制困境，成功取得国际大厂多台设备正式订单。

仪科中心指出，自2004年起深耕发展ALD技术，因应不同制程需求开发各式ALD设备与制程验证技术，累积完整机台建置经验，2015年与台积电及产学界共同推动成立「原子层沉积联合实验室」，提供半导体制造业ALD制程设备测试与开发验证的服务平台，是国内唯一具备客制化ALD设备及制程能力之研究单位。

仪科中心亦发挥带领国内ALD先进研究群聚效应，至2020年已客制开发20多台各式ALD设备，其应用领域涵盖太阳能光电、半导体、触媒和光学薄膜等领域。

天虹科技自2002年成立以来，专精于与半导体厂商合作开发关键半导体零组件，并可客制化地针对进口设备进行改装及性能提升，是国内本土自制率达70％以上的半导体溅镀设备供应商。

仪科中心与天虹科技于2018年起合作，整合双方技术共同开发市场行情新台币一亿元的12吋量产型丛集式ALD设备，并于2019年完成设备开发及12吋氧化铝薄膜制程验证，10奈米厚度的氧化铝薄膜均匀性（uniformity）大于99％。

相较市面量产型ALD设备，天虹科技机台拥有降低前驱物消耗量设计与相对高产出速度，并可依客户端制程与产能需求加挂反应室，具备高度可扩充性；而氧化铝薄膜制程也率先应用于Mini-LED及 Micro-LED上作为钝化保护层。天虹科技执行长林俊成表示，所发展的制程，改善了LED发光效率与使用寿命，效果显著并获得验证。