绿能产业新动力 LED制程设备自主化
▲（左起）仪科中心蒋东尧博士、宇杰真空公司陈日开总经理、明志科大陈胜吉教授、仪科中心李昭德博士、宇杰真空公司张恩豪博士、明志科大马李哲维同学、明志科大林柏均同学。 （图／科技部提供）
气候变迁与永续发展已成为国际关注议题，为协助我国产业争取国际节能商机，由国家实验研究院仪科中心结合宇杰真空科技公司，以及明志科大开发将氮化镓薄膜成长于矽基板「二硼化锆（ZrB2）缓冲层制程技术与设备」，可降低LED制程成本达30%，延长LED使用寿命25%，可有效提升我国绿能产业国际竞争优势。
LED光源拥有省电、体积小及寿命长等优点，随着照明应用面的扩大，已冲上绿色趋势的浪头。根据研究机构统计，目前我国LED照明产业已位居全球领先地位，然而LED技术日新月异，且竞争者众，南韩与中国更以政策支持，展现强烈的企图心，可预期未来全球LED照明产业竞争将更为激烈。
面对国际强敌环伺，我国LED产业需持续提升技术竞争力，方能保持优势。
目前LED在照明市场中仍存在高单价、高成本限制，且散热处理一直是需要进一步克服的关键技术。
传统LED主要是以氮化镓磊晶成长于蓝宝石晶圆（Sapphire，Al2O3）或碳化矽（SiC）基板上，仪科中心透过光学系统整合研发联盟，成功媒合明志科大队与宇杰真空，三方合作执行科技部「应用于氮化镓薄膜沉积于矽基板之二硼化锆缓冲层薄膜制程技术开发」产学合作计划，发展让氮化镓薄膜成长于矽基板上的二硼化锆缓冲层的制程技术。
此技术可让氮化镓沉积于半导体业已大量使用的矽晶圆基板上，不但可降低成本，且可提高导热速率，提升散热效率，因此极具商业应用价值。
本产学研究运作模式，由仪科中心以「脉冲直流磁控溅镀设备」镀制二硼化锆薄膜于矽基板，开发缓冲层；明志科大负责薄膜材料结构与晶相分析；宇杰真空为一真空设备系统整合制造及真空元件开发制造设备公司，负责将研发成果进行商业机台测试与验证，进行设备整合研发，建立真空镀膜设备自主研发能力技术。
根据全球绿能产业发展趋势，LED产业未来五年将会快速成长，因此积极发展前瞻性产业技术，抢先突破目前产业技术瓶颈为各国目标。
仪科中心、明志科大及宇杰真空的合作，除可强化我国在LED产业的竞争优势，确保全球领先地位，并可提升我国半导体制程设备厂商的技术水准，引领我国产业迈向高值化应用发展。