晶圆代工先进制程 步入电晶体结构转换期

图／路透

纯晶圆代工厂制程由16nm开始从平面式电晶体结构（Planar Transistor）进入FinFET世代，发展至7nm制程导入EUV微影技术后，FinFET结构自3nm开始面临物理极限。先进制程两大龙头自此出现分歧，台积电延续FinFET结构于2022下半年量产3nm产品，预计2023上半年正式产出问世，并逐季提升量产规模，2023年产品包含PC CPU及智慧型手机SoC等。而三星由3nm开始导入基于GAAFET的MBCFET架构（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor），于2022年正式量产，初代产品为加密货币挖矿晶片，2023年将致力于第二代3nm制程，目标量产智慧型手机SoC。两者3nm量产初期皆仍集中在对提高效能、降低功耗、缩小晶片面积等有较高要求的高效能运算和智慧型手机平台。