台版晶片法 研发经费门槛 拟订50～100亿

产创条例第10条之2三大门槛与外界意见

台版晶片法案的产创条例10条之2已完成三读，研发费用、研发密度、有效税率订为适用优惠减税的三大必备门槛，其中研发费用更连动研发密度。据透露，研发经费门槛将订在50亿至100亿元，研发密度则会落在5％至7％之间。

据了解，财经两部正为此角力，也对定义及门槛伤透脑筋，深怕门槛订太高、变成台积电独享，又怕门槛订得太低、变成家家有奖，两者都失去鼓励意义。加上，财长未补实，督导赋税的次长李庆华及赋税署长许慈美二人13日双双届龄退休，财经两部无法快速展开研商。经济部盼在3～4月内完成子法订定，尽快公告上路。

知情官员透露，虽然研发费用、研发密度尚未定案，但先前财政部拟订在100亿，如此只有台积电、联发科、联咏等6至7家业者符合条件。经济部极力争取后，财政部同意让步，初步敲定研发费用门槛将订在50亿至100亿元间，倘若门槛降低至50亿元，包括联电、日月光、南亚科、群联、瑞昱等近15家业者都可进安全名单。

第一个「研发费用」恐刷掉9成科技业者，而第二门槛「研发密度」是连动的，官员预期，恐怕再刷掉部分业者。「研发密度」是指研发支出占营收净额之比率，目前制造业平均为3.2％，原本财政部有意订在8％左右，但台积电合并营收破2兆，未来几年还会不断长胖，其研发密度约达7～8％，一旦营收成长恐难达研发密度门槛，因此两部会初步拟将研发密度比率订在5％至7％。

至于有效税率门槛，2023年应达12％，2024年审酌OECD全球企业最低税负制情形调整缓冲一年，2025年起一律调整至15％。

外界担心，产创10条之2会变成半导体产业或少数业者独享之法案。经济部强调，适用要件规模与相关名词定义在子法订定，也会参考国内外产业发展状况、主要上市柜公司研发经费及产业研发密度，并搜集产业界意见及听取产官学研专家意见来订定。

产创条例第10条之2符合适用要件者，可享有前瞻创新研发投资抵减，当年度抵减率为25％；购置用于先进制程之设备投资抵减，当年度抵减率为5％，且支出金额无上限；二者合计抵减税额不得超过当年度应纳营所税额50％。