《台版晶片法案》产官学攻防 研发经费门槛 业界争折衷版本

经济部官员表示，近期跨部会的会议主要是在讨论疫后特别条例，目前条例已经通过，接下来也会开始与财政部进行讨论，不过工业局先前提出一个门槛版本供内部参考，但外界对于研发经费、研发密度门槛都还有不少意见，因此建议工业局聆听业界声音、继续进行评估。

产创条例10条之2已完成三读，与现行《产创条例》第10条（研发投抵额度是当年度抵减率15％，或分三年抵减率10％，采二择一）相比，10条之2优惠更大，前瞻研发支出当年度抵减率25％、购置先进设备当年度抵减率5％，且「无投资抵减支出金额上限」，两抵减各自上限不得超过当年度营所税30％，两项合计不得超过50％，施行期间自2023年1月1日起至2029年12月31日落日，预计六个月内要完成子法。

根据条例规定，要适用产创条例10条之2必须要符合三大适用要件，包括研发费用达一定规模、研发密度达一定规模、有效税率达一定比率。有效税率门槛在条例立法时已经获得共识，也就是2023年应达12％，2024年审酌OECD全球企业最低税负制情形调整缓冲一年，2025年起一律调整至15％；研发密度据悉也将缩小共识范围，大约落在5％至6％之间。

但研发费用这项门槛，却让不少业者们抢破头极力争取调降。知情人士表示，财政部先前将研发费用门槛拟订在100亿元，只有台积电、联发科、联咏等6至7家业者符合条件，「这样也才符合巩固国际领先地位的立法意旨」，但包括力积电董事长黄崇仁在内等多家半导体业者，希望门槛能有条件下降至50亿元。