台積電次世代記憶體大突破 搶食AI、高效能運算商機

台积电。（路透）

台积电（2330）今天法说会登场前夕，昨（17）日抢先报喜，在次世代MRAM记忆体相关技术传捷报，携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性记忆体（SOT-MRAM）阵列晶片，搭配创新的运算架构，功耗仅其他类似技术的1%，称霸业界，为台积电抢攻AI、高效能运算（HPC）等当红商机增添动能。

业界指出，AI、5G时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用，都需要更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体，MRAM采用硬碟中常见的精致磁性材料，能满足新世代记忆体需求，吸引三星、英特尔、台积电等大厂投入研发。

过去MRAM主要应用在车用或基地台等，由于MRAM架构特性，使得资料保存、写入耐久性及写入速度等三大特点并无法兼得，数年前出现自旋转移扭矩（STT-MRAM）更新架构，解决上述三大特点无法兼得的问题，并进入商用化。

台积电已经成功开发出22奈米、16／12奈米制程等相关MRAM产品线，并手握记忆体、车用等市场订单，抢占MRAM商机。台积电乘胜追击，与工研院携手开发出SOT-MRAM阵列晶片，搭配创新的运算架构。

工研院昨天宣布，此次与台积电合作的开发出SOT-MRAM阵列晶片，搭配创新的运算架构，适用于记忆体内运算，且功耗仅为STT-MRAM的1%，相关研发成果领先国际，并在全球微电子元件领域顶尖会议「国际电子元件会议（IEDM）」共同发表论文，展现次世代记忆体技术的研发能量，维持台湾半导体在全球产业不可或缺的地位。

工研院电子与光电系统所所长张世杰指出，工研院与台积电继去年在全球半导体领域顶尖的「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同发表论文之后，今年更开发出兼具低功耗、10奈秒高速工作等优点的SOT-MRAM单元。

MRAM本身就需要透过精致磁性材料打造，因此需要整合半导体及磁性元件等技术才能生产，过去主要应用在嵌入式记忆体，例如搭配CPU使用作为其快取资料用途。这次工研院、台积电合作研发成果，已经结合电路设计完成记忆体内运算技术，进一步提升运算效能，跳脱MRAM过往以记忆体为主的应用情境。

随AI、高效能运算等需求崛起，台积有机会透过SOT-MRAM加上先进封装，整合出更高运算速度的晶片，代表未来不论高效能运算、AI及车用晶片等相关市场，都有机会采用SOT-MRAM，台积将大咬商机。