台积电注意了 英特尔再喊技术超车 关键时间点曝光

英特尔展现拓展晶圆代工的企图心。（图／shutterstock）

美国半导体巨头英特尔积极拓转晶圆代工领域，先前执行长Pat Gelsinger曾喊出要在4年内赶上台积电与三星的技术，展现夺回领导地位的决心，近日，Pat Gelsinger再次表示，英特尔与台积电的差距持续缩小，未来几年内可以超车对手，此外，Pat Gelsinger也透露月底有机会公布其新建大型晶圆厂的地点，总投资金额达千亿美元。

综合外媒报导，Pat Gelsinger认为，全球晶片严重短缺的困境，让供应链意识到增加灵活度的重要性，这也是英特尔决定在欧洲及美国设厂的主要原因，「如果10年后，美国、欧洲及亚洲的生产比重能变成30%、20%、50%，我想所有人都会比较满意。」

此前，Pat Gelsinger已宣布新的4年代工计划，未来4年预计推出5个世代的晶片，最高阶的18A技术将在2025年推出，并预计在2023年第二季推出4奈米晶片。

近日Pat Gelsinger再加码透露，有望在月底公布大型晶圆厂的确切位置，该晶圆厂将包括6至8座小型晶圆厂，预计耗资千亿美元，是未来英特尔发展的重要基地。

另外，针对英特尔与台积电、三星的竞争关系，Pat Gelsinger强调他们有信心在未来几年超越，「我们正持续缩小落后差距，并在未来几年重新恢复在半导体产业的领导的地位。」

Pat Gelsinger也提到美国半导体补助对于英特尔的重要性，「相较于美国，在亚洲建厂的成本少30%，若在大陆建厂则会少50%，代表在不同地方设厂的成本差距会达到数十亿美元，因此若美国厂商想要取得优势，就需要至少30至50%的经济补贴。」