中國晶片技術只落後台積3年？ 國科會主委：10年以上

国科会主委吴诚文。联合报系资料照／记者陈正兴摄影

有媒体报导称中国晶片技术实力仅落后台积电3年，国科会主委吴诚文今天表示，他对此说法存疑，双方技术落差应是10年以上，尤其台积电先进制程将进到2奈米。

立法院教育及文化委员会今天邀请吴诚文就「永续科研与政策沟通」进行专题报告，并备质询。

民进党立委吴沛忆质询时指出，根据日媒近期报导，日本半导体调查企业拆解华为手机后表示，中国已经迎头赶上，晶片技术实力仅落后台积电3年，她询问吴诚文这项说法是否属实。

吴诚文回应「我其实存疑」，落差应为10年以上，尤其台积电先进制程将进到2奈米。

根据台积电7月在法人说明会揭露的资讯，2奈米先进制程研发进展顺利，装置效能和良率皆按照计划或优于预期，将如期于2025年量产。

中国方面，市调机构集邦科技指出，中国在28奈米及更成熟制程扩产动作最积极，预估2027年中国成熟制程产能占全球比重可望达39%，应用面涵盖车用、消费型、伺服器及工控等领域。

中国工信部近期公布重大技术装备推广应用指导目录，其中两台曝光机被外界解读为中国已取得重大技术突破，可生产8奈米及以下晶片的说法甚嚣尘上；另据德国之声报导，上海微电子向中国国家智慧财产权局申请了一系列EUV技术专利，可能意味着掌握了制造7奈米及以下晶片的关键能力。