《专访》泛铨柳纪纶：超前布局未来3到10年材料分析技术(4-2)

答：好的材料分析公司不仅要有领先的技术能力，最重要的是要能持续研发出有绝对竞争优势的技术；泛铨长期以来透过与国外研发平台、学术研究单位联系互动的机会，做分析技术研发方向的判断，超前布局半导体元件未来3到10年的发展路径所需的验证分析技术。

例如：GAA结构元件，我们在2019年就已经完成相关的分析技术准备，在我们的大客户2022年向我们提出分析需求时，我们已经准备好完整的分析技术与产能，当时客户对于我们的GAA分析服务十分满意。最近的例子是，在今年初，光阻液厂家在美国的SPIE会议报告High NA EUV光阻的研究进展，报告中使用的高解析度TEM 照片就是多年来与泛铨合作的成果。经由提早与全球最领先的技术平台合作，我们早已参与下一世代High NA EUV曝光机使用MOR(金属层氧化物)EUV光阻的研发，建立相关分析设备与工法。

目前泛铨在材料分析的技术优势，包含低温原子层镀膜、导电胶与原子层导电膜，这几项是属于有绝对竞争优势的技术，用来解决EUV光阻与LK材料的分析难处；而全新结构的2nm的GAA样品，则需要超薄试片制备与自动量测等分析技术，这些技术都是客户依赖泛铨的特殊工法技术，且泛铨早已建立完整的专利保护。

问：随着半导体技术制程推进，材料分析有那些新挑战？泛铨如何因应？

答：半导体产业持续追求PPAC的提升；新的制程相对于前一代的制程，在效能、功耗、面积、成本要有一定的优势，这样才能算是新的制程节点，而要达到这些好处，要采用新的设备、新的材料跟新的制程参数来达成。28奈米以前使用传统平面MOSFET，到16奈米之后采用MOSFET，2奈米采用GAA结构，除了尺寸缩小、堆叠结构不同以外，这些电晶体用的材料，以及他们彼此之间互连的线路，也逐渐采用更新的导体与绝缘层材料。在每一个世代节点的制程开发时，被要求去分析这些不同的新材料，以及越来越小的复杂结构，对于材料分析公司来说，就是一个新的机会以及挑战。举例来说，在7奈米之后，EUV一次曝光取代DUV多重曝光，有诸多好处，所以越来越多EUV曝光被应用在更新的制程节点上。然而EUV光阻天性松软，容易受到离子、电子损伤而形变甚至坍塌。

进行TEM观察时，就需要泛铨独特的低温ALD形成保护膜来保护，在分析的时候能够不变形，能够维持原来的样貌。另外，为了降低后段金属绕线的RC delay，最先进的半导体制程，采用越来越低K值的Low K材料来做绝缘层，也因为这样Low K材料内充满空隙，在离子束与电子束进行样品切割及观察时，会造成材料的高度减少，这样的人为误差，会造成制程研发人员的误判。

泛铨的低温ALD、导电胶、原子层导电膜的技术专利可以克服这样的人为误差，真实的呈现样品原来的高度，让客户可以看到真实的情况，而不会误导他走错方向。半导体制程未来还是会持续的去追求PPA的提升，一样会应用到新的材料跟越来越细微的结构；对泛铨来说，这个挑战是持续下去的，也会持续克服这些材料分析的挑战，持续在先进制程研发之中扮演领航者的角色。(4-2)