《专访》泛铨柳纪纶：切入故障分析为营运添动能(4-3)

我们很清楚故障分析的市场很大，一直在那里等我们，我们在两年前也开始加大投入故障分析，现在故障分析大本营是在台元科技园区，那里也是很多IC设计公司集中的点，我们拥有地利跟大规模的新设备来服务这些客户。

再者，故障分析的领域很多，我们针对独特有利基以及成长性比较高的先行集中投入，例如：像化合物半导体的故障分析，我们是目前台湾唯一一家建置1000V以上到3000V故障分析量测平台；经由超过1000V以上的量测，我们可以协助客户量测高压元件的顺向导通的时候Rdson，这是业界第一家可以做到的，随着市场上有越来越多客户都持续投入，预期有很高的成长性。另外一个就是泛铨在先进封装(INFO/COWOS/CHIPLET 3D)与先进制程IC的FA投入，在先进封装FA的竞争优势包括：我们拥有超高频TDR，有能力对2.5D/3D封装体定位出来10 um级的open与高阻抗；且3D X-ray可以对2.5D/3D封装体的open /short做穿透观察，例如，5um WOW TSV封装；此外，我们Thermal可定位z轴，达成um等级的XYZ定位，找出2.5D/3D封装体缺陷。

至于先进制程IC的F A则是透过一系列电性定位设备(ingaas/obrich，CV，AFM)，从um尺度定位到nm尺度，最后用Nano probe 进行元件尺度直接量测，其中泛铨针对先进制程IC开发Nano probe的技术优势，包括：于0.1KV(极低电压)的电子影像下，点测元件，电荷损伤极低；侦测pA等级的漏电讯号，可以测极微小电流差异；定位nA等级的EBAC亮点定位讯号，优异的极低漏电定位能力，以及低损伤的试片制备处理，符合先进制程客户的需求

泛铨先进制程IC专用的Nano probe的技术，近期已经通过3家科技公司在3nm产品上的验证。我们是唯一能做3nm量测的FA House，客户可以从Nano probe量测结果与讨论分析后解读异常现象与失效原因，用来改善设计与半导体制程问题。

对于故障分析来说，我们努力的方向是增加服务项目与产量，同时要兼顾每个工作同仁的产值，这样才能增加每个同仁的业绩，让同仁找的年收入提高，避免被挖角(IC设计公司)，这也是呼应为何我们增加FA的策略是稳健的，放重点在特殊还是蓝海的项目上。(4-3)