《半导体》IET-KY前3季每股赚0.68元 目前渐走出谷底

IET-KY今天受邀参加法人说明会，IET-KY第3季合并营收2.04亿元，年减3.41%，由于产品组合优化，推升毛利率，单季合并毛利率31.26%，季增17.76个百分点，税后净利4455.4万元，单季每股盈余1.22元，年增96.77%；累计前3季合并营收为4.9亿元，年减28.2%，合并毛利率24.35%、税后净利2475.5万元，每股盈余为0.68元。

就各产品来看，磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)及劳务收入占IET-KY营收比重分别为38.9%、38.7%、21.1%，其中磷化铟(InP)部分，IET-KY表示，虽然目前量产订单仍待客户库存出清，但用于高频与光电的HBT、APD及VCSEL等磊晶片订单持续回升，美、日大厂加大APD、PIN及iHEMT订单，同时也新增应用于高速网络到环境感测等众多应用中的EAM及QCL雷射产品，公司仍积极拓展量产订单。

在锑化镓(GaSb)销售部分，锑化镓红外磊晶片国防以外的订单比例增高，客户亦增加，目前机台产能正常，公司正努力加快交货期，提高元件测试效率，全力发展商用锑化镓红外磊晶片及元件相关技术。

在砷化镓(GaAs)方面，高端国防及航天pHEMT量产订单按时出货中，英特磊也积极争取GaAs pHEMT新增客户，同时公司也将稳固原材料(镓，砷)供应和生产能力以期产能充足稳定供货；氮化镓二次生长(GaN+Regrowth)客户反应一致良好，大尺吋矽基磊晶片美、台订单比例增高，第3季公司新增了一台MBE机台，以期在第4季进一步提高GaN二次生长的产能。

高永中表示，整体而言，客户对大型机台改造、包机服务、新型机台研发用于氮化镓二次生长、砷化铟蒸镀及氮化镓（GaN）生长询问度均有增加的趋势，从目前市场状况来看，公司已渐渐走出谷底，对于后续营运表现保守乐观。

至于IET-KY二厂扩建工程与新增机台及机台升级资金运用进程将配合美国晶片法案及可转换公司债发行。