《半导体》力积电3D晶圆堆叠、2.5D中介层 获国际大厂采用

高频宽记忆体（HBM）目前严重供不应求，力积电对此发表3D晶圆堆叠的Logic-DRAM晶片制程技术，以此创新制程生产的3D AI晶片，应用在人工智慧推论（AI Inference）系统，展现出资料传输频宽为传统AI晶片10倍、功耗仅7分之1的优异效能。

力积电透露，公司同时掌握记忆体及逻辑2大制程平台，近年领先全球大力研发的3D晶圆堆叠Logic-DRAM晶片制程技术，目前已和美商超微（AMD）、日本绘图晶片（GPU）晶片设计业者及多家国际系统大厂联手采用。

力积电表示，借由公司Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术，与一线晶圆代工大厂先进逻辑制程合作开发新型3D AI晶片，发挥3D晶圆堆叠优势，为商机庞大的大型语言模型人工智慧（LLM AI）应用市场及方兴未艾的AI PC新需求，提供高性价比的创新解决方案。

力积电指出，透过合作伙伴爱普设计客制化DRAM晶片，配合公司Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术，相较与现有采用HBM的2.5D AI晶片架构，新款3D AI晶片能在相同单位面积提供高达100倍传输频宽及庞大记忆体容量，对LLM AI应用及AI PC市场深具吸引力。

此外，为支援GPU与HBM2E、HBM3高频宽记忆体的传输，力积电根据客户需求开发的2.5D中介层搭配高密度电容整合被动元件（IPD）产品，亦已通过国际大厂认证，目前正积极于铜锣新厂布建产线，以因应客户需求加速导入量产。