《半导体》外资连5天敲进1.68万张 南亚科拚稳3字头

由于中国长鑫存储市占率成长快速，投资人担忧传统DRAM产业将显著恶化，不过南亚科认为，产业库存已相对低档，且DDR5投片量逐步扩大，对今年上半年淡季营运释出相对乐观展望，投资人虽然看法分歧，无非DR5量产或销售状况低于预期、消费性电子景气表现低于预期、陆资对手之价格压力超出预期，但南亚科评价已有反弹空间。

南亚科应对DRAM产业竞争加剧，正计划加快未来制程升级之速度与投入高频宽记忆体之开发。首先，南亚科加快提高1B制程的产出比重，首季估约占15-20%，下半年达到30%以上，全年平均目标占比超过30%。其次，南亚科也正加快量产1C/1D制程，希望2027年底可投产1D奈米，拉大与竞争对手之差距。最后，南亚科董事会去年底决议投资最多6.6亿元，与补丁科技策略合作开发客制化超高频宽记忆体，终端应用瞄准Edge AI需求，满足高密度/低功耗与客制化之需求，预计于2026年底推出产品。