晶片法案对未来三年市场影响 晶片制程 美冲先进、陆攻成熟

全球7奈米以下先进制程产能市占率

美国参众议院顺利通过《美国晶片法案》强化在美国本土设厂的半导体补贴的同时，将限制获补助厂商在中国投资，加上美国拟扩大对中国半导体设备出口限制。研调机构集邦科技认为，未来三年美国将持续强化先进制程技术，而中国将锁定成熟制程晶圆产能扩产。

《美国晶片法案》待美国总统签署后即正式生效，该法案草案不仅涵盖晶圆制造研发与建厂补助、税务优惠补贴等，同时也提出附加限制条款，拟针对获美国国家补贴的公司，限制获补助期间不得在中国投资28奈米以下制程技术，以确保该法案对美国半导体产业竞争力的保护。

市调单位表示，目前同时于美国、中国投资扩产／厂的半导体公司仅有台积电（2330）与三星（Samsung），针对《美国晶片法案》将如何限制两家业者于中国的投资值得持续关注。

且先前美国祭出的《实体清单》明文禁止用于1X奈米及以下先进制程之美国技术销售予被列入清单的公司，多数中国晶圆代工业者因而转向积极扩充28奈米及以上成熟制程技术。

值得一提的是，中芯国际（SMIC）传出成功量产7奈米制程，据集邦调查，由于7奈米（含）以下制程已逼近物理极限，若采用DUV而非EUV技术，需要更复杂的制作程序，将影响良率与成本，加上挖矿晶片结构与其他逻辑晶片较为简单，该制程产线欲生产更复杂的逻辑晶片难度恐怕相当高。

疫情导致的晶片供应链断链刺激各区域经济体更加重视半导体自主性议题，美国除透过晶片法案积极培植国内产线外，更频频借由附加限制条款，配合疫情前即已执行数年的实体清单禁令，欲提高对中国半导体制裁的强度与深度以抑制其发展。

从晶圆代工端来看，台积电与三星近期赴美投资设厂以5奈米先进制程为主，而在中国扩产活动则大多为28奈米（含）以上成熟制程。

集邦统计，中国晶圆代工业者在既有设备限制下亦较积极于扩充成熟制程产能，2022～2025年中国十二吋约当产能占比将自24％成长至27％，成长幅度居各区域之冠；但若仅观察先进制程（7奈米及以下）方面，2022～2025年则以美国增加幅度最高，预估市占至2025年将成长至12％。