力成、华邦电签订合作意向书 开发先进封装业务

力成表示，本合作业务开发案的合作方式将采由力成科技提供所需之2.5D及3D先进封装服务，包括但不限于Chip on Wafer、凸块（Bumping）及矽穿孔（TSV, Through Silicon Via）via-reveal封装等，力成科技将优先推荐客户使用华邦电子之矽中介层（Silicon-Interposer）及其他产品，包括动态随机存取记忆体（DRAM）及快闪记忆体（Flash）等以完成前述之先进封装服务，进而达成异质整合以满足市场对高宽频及高效能运算的服务需求。

华邦电子崭新一代的矽中介层技术，是其在开发CUBE DRAM系列的伴随产品，不仅实现高效能AI边缘运算，更结合了力成科技在2.5D和3D的异质整合封装技术。这不仅强化了产品之高宽频性能，还降低了资料传输所需的电力，从而迎合AI时代对高速运算及低耗能的期望和需求。