台積電首台High NA EUV傳本月進機 逾4億歐元設備恐交管入廠

ASML High NA EUV 产品管理副总裁 Greet Storms。公司提供

业界传出，晶圆代工龙头台积电（2330）首台艾司摩尔（ASML） High NA EUV微影系统设备传本月将进机，持续领先三星晶圆代工的交机进度，由于该款逾4亿欧元设备且因光镜头镜片无法分拆入厂，高度比一间会议室还高且长度也远超前一代设备，因规格特殊且精密，恐须机场或港口联通的高速公路交管或特定深夜运送入厂避免交通不顺。

对于业界传闻，ASML今日提到不评论单一客户。台积电9日傍晚回应本报记者也提到不回应市场传闻。

不过，业界盛传，台积电首台艾司摩尔High NA EUV传本月将进机，预计移入台积电全球研发中心，用于研发用途，进而应对后续先进制程开发需求。

艾司摩尔已获得所有EUV客户下单下世代High NA EUV，回顾ASML High NA EUV 产品管理副总裁 Greet Storms上周五受访提到，「ASML持续推进新的技术并获得每个EUV客户在研发阶段青睐，这些也都是我们high NA客户，也都有下单给我们，2026年希望是往量产方向推进」，不过仍看客户制程成本等总体考量。

艾司摩尔先前曾证实，今年底前将向台积电交付最新的High-NA EUV。

艾司摩尔先前强调High NA EUV 微影系统已于去年底开始陆续出货，产能预计每小时可曝光超过 185 片晶圆，将支援 2 奈米以下逻辑晶片及具有相似电晶体密度的记忆体晶片量产。

艾司摩尔强调，在先进制程晶片制造中导入 EUV 技术可简化制程工序、减少光罩数量，达到产能和良率提升，进而降低生产每片晶圆的用电量。ASML 预估，若在先进制程中导入包括 EUV 和 High NA EUV 微影系统，到 2029 年，使用 ASML 微影技术生产每一片晶圆使用的 100 度电，将为整体制程节省 200 度电。