進入High-NA EUV微影時代

记忆体。（路透）

【作者： imec】

在迎来高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影时代之际，比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计划的资深副总裁（SVP）Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔（ASML）合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性。

由ASML与imec联手在荷兰费尔德霍温建立的微影实验室正式启用，为推动High-NA EUV技术迈向量产立下了里程碑。记忆体和逻辑晶片的顶尖制造商现在可以使用首款0.55NA高数值孔径（high-NA）EUV曝光原型机TWINSCAN EXE:5000及周边基础设施，包含涂布及显影机、量测工具、晶圆及光罩处理系统。在IDM及晶圆代工厂的晶圆厂房开始运作这些微影机台之前，imec与ASML将协助他们降低这项图形化技术的开发风险，并支援他们开发专有的High-NA EUV应用案例。

实验室未来也会开放给更广泛的供应商生态系统来使用。实验室的显影设施将能让他们在High-NA EUV专用材料与设备的工程设计领域成为先锋。实验室的第三类使用者则是imec及其先进图形化研究计划的几位伙伴，该计划推动图形化生态系统朝向High-NA EUV的未来技术世代发展。

比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计划的资深副总裁（SVP）Steven Scheer表示，这间位于荷兰费尔德霍温的High-NA EUV微影联合实验室的成立目标是加速High-NA EUV技术量产并提升其成本效益。ASML与蔡司（ZEISS）在短时间内已经成功开发high-NA EUV曝光机的专用解决方案，这些方案与曝光源、光学元件、镜头变形、光罩场域拼接、缩短焦点深度（DOF）、边界放置误差及叠对准确性有关。

同时，imec携手ASML及我们的广泛供应商网络密切合作，共同筹备0.55NA图形化生态系统—如同imec在2024年国际光电工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）所公布的消息。确保了用于第一代High-NA EUV的先进光阻剂、涂布底层材料、光罩、量测技术、（变形）成像策略、光学邻近修正（OPC）与整合图形化及蚀刻技术都能如期供应。

这些筹备工作在近期促成了首批晶圆的曝光，宽度为10奈米和16奈米的导线／间隔（space）—即间距（pitch）为20奈米和32奈米，分别能在金属氧化物阻剂（MOR）与化学放大阻剂（CAR）曝光后印刷出图形。目前曝光原型机与基础建设已经就绪，预计在2025-2026年将会导入量产。

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