AI 高階晶片熱 ASML High NA EUV 拚降每片晶圓生產用電

ASML High NA EUV 产品管理副总裁 Greet Storms 分享产品应用趋势。记者尹慧中摄影

AI 驱动半导体需求，全球晶片微影技术领导厂商艾司摩尔 ASML 6 日于 SEMICON Taiwan 分享新一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）微影技术，并表示将协助晶片制造商简化制造工序、提高产能，并降低每片晶圆生产的能耗。

全球半导体产值到 2030 年可望将达 1 兆美元，而 SEMI 预估 AI 驱动的半导体产业成长，将占 5 成以上。为了持续使晶片微缩成本更具效益，推动摩尔定律的进展。

ASML 今日分享其最新一代 High NA EUV 微影技术，透过采用新的光学元件，将数值孔径（numerical aperture）从 0.33 提升至 0.55，提供更高的成像解析度，临界尺寸（critical dimension, CD）可达到 8nm，让晶片制造商可以在同样单位面积的晶片上实现较现今高出 2.9 倍的电晶体密度；且成像对比度较 0.33 NA EUV 提高 40%，可大幅降低成像缺陷。

作为半导体生态系的一员，ASML 透过持续开发新的微影技术并与我们的合作伙伴不断创新，帮助晶片制造商能够以更具成本效益的方式量产尺寸更小、功能更强、更低功耗的晶片。

ASML High NA EUV 产品管理副总裁 Greet Storms 表示：「透过导入 High NA EUV，客户将可减少量产逻辑和记忆体晶片的制造工序，进而显著降低制程缺陷、成本和生产周期。High NA EUV（0.55 NA）将与现行的 EUV（0.33 NA）在设计方面有通用性，可降低客户的导入风险和研发成本」。

High NA EUV 微影系统已于去年底开始陆续出货，产能预计每小时可曝光超过 185 片晶圆，将支援 2 奈米以下逻辑晶片及具有相似电晶体密度的记忆体晶片量产。

在先进制程晶片制造中导入 EUV 技术可简化制程工序、减少光罩数量，达到产能和良率提升，进而降低生产每片晶圆的用电量。ASML 预估，若在先进制程中导入包括 EUV 和 High NA EUV 微影系统，到 2029 年，使用 ASML 微影技术生产每一片晶圆使用的 100 度电，将为整体制程节省 200 度电。

为了让晶片制造商用更具成本效益的方式生产尺寸更小、功能更强、更节能的晶片，ASML 提供全方位微影解决方案 – 包括微影系统和应用产品，同时为先进制程和成熟制程客户提供具成本效益的解决方案来支援所有应用。

EUV 节能有进展：过去 5 年每片晶圆曝光用电降低 40%，2025 年前目标再降 30 – 35%。

半导体产业透过生产更快、更强大、同时又节能且价格可负担的晶片，实现物联网的世界。然而也带来相对应的付出，例如能源消耗。ASML 不断致力透过研发创新降低能源消耗，透过与客户密切合作，在提高生产力的同时，减少制造每片晶圆所产生的能耗。根据 ASML 2023 年报，从 2018 年到 2023 年，ASML EUV 曝光每片晶圆的能耗减少了近 40%，此外更希望到 2025 年再减少 30 – 35% 的能耗。

ASML High NA EUV 产品管理副总裁 Greet Storms 分享产品应用趋势。记者尹慧中摄影