英特爾導入High NA EUV 先用不見得先贏

英特尔宣布率先导入天价高数值孔径极紫外光显影设备（High NA EUV）之后，台积电（2330）何时导入最新微影设备一直是市场焦点，业界人士分析，最新High NA EUV报价达4亿欧元，「先用不见得先赢」，重要的是，客人愿不愿意接受与成本能否快速转为获利。

业界分析，High NA EUV新一代相较当前 EUV 设备1.5亿欧元，造价与成本大幅提高1.66倍，各大厂何时使用，取得后如何平衡生产与成本都是各界关注焦点。

从成本角度上，业界分析，High NA EUV若能又快又好又准且具性价比之下，商用才有加速可能，毕竟以新款EUV价格换算，若开光罩模具换算一片成本恐1,000万，若30层光罩则要3亿元，恐怕要财大气粗、大金主的客人才花得起光罩费，光是这部分，就是转进新设备的瓶颈。

此外，半导体先进制程持续推进，业界从3奈米已明显感受到成本上升的压力，不仅2奈米晶圆代工报价恐高达3万美元（折合新台币约93.28万元），较3奈米近约2万美元成长50%，创下新天价。

业界推测，若发展至1奈米等级以下埃米制程，报价恐上看5-6万美元天价，将让率先转进使用的大厂愈来愈少，成本控制成为当务之急。

先进晶圆厂成本增加，主因下世代EUV微影设备系统数量增加，大幅提高每片晶圆和每单位晶圆成本。