威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5 下半年量产
▲威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5。（图／业者提供）
威腾电子（Western Digital）今（24）日宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5，目前已开始生产512Gb的BiCS5 TLC，并预计在2020年下半年就能开始商业化量产。
BiCS5是由威腾电子与合作伙伴铠侠（Kioxia，前东芝记忆体）共同开发，将于日本三重县四日市及岩手县北上市的合资晶圆厂制造。
BiCS5采用三层单元（TLC）与四层单元（QLC）两种架构，因性价比、效能与稳定性等满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求。未来，BiCS5 TLC与BiCS5 QLC将提供包括1.33Tb等多样的储存容量选择。
BiCS5是威腾电子目前密度最高、最先进的3D NAND技术。第二代多层储存通孔技术、优化的工程设计流程及其他先进的3D NAND储存单元技术大幅提升晶圆的横向储存单元阵列密度。此外，BiCS5拥有112层垂直堆叠的储存容量，使每晶圆的储存容量比96层的BiCS4高出40%，可达到最佳成本；新架构设计也为BiCS5挹注更高效能，使其I/O效能较BiCS4提高50%。
威腾电子记忆体技术与制造部门资深副总裁Steve Paak博士表示，BiCS5利用更先进的多层储存通孔（multi-tier memory hole）技术来增加横向储存密度，同时透过增加储存层让3D NAND技术的容量与效能显著提升，以满足客户对稳定性与低成本的期望。