《兴柜股》微矽电子营运回升 H2拚大成长

微矽电子第三代半导体测试领先业界，董事长张秉堂表示，第三代半导体面临多项高技术含量挑战，包括尺寸和密度的提高、高速度操作、功耗管理、新材料和结构的应用，以及更严格的可靠性要求。首先，半导体元件尺寸更小且密度更高，需要创新的测试解决方案和设备以确保测试可行性。其次，高速度操作要求更先进的测试设备和演算法，以避免性能瓶颈。此外，功耗管理变得更加关键，需要新的低功耗测试技术。同时，由于新材料和结构的应用，必须开发新的测试技术以应对这些挑战。最后，为了满足更高的可靠性需求，需要长时间的测试和大量的测试数据分析，也因此，在第三代半导体相关之产品测试上具有相当高的门槛。董座强调，公司成立37年公司，已非新公司，而是老成持重的存在，董座更有40年封测经验，公司此时登入创新板，对第三代半导体曝光也有帮助，若后续获利得宜，也可望转第一线上市。

微矽电子去年前三季营业收入6.20亿元，营业毛利0.43亿元，毛利率降至7%，税后净损0.55亿元，每股亏损0.85元。不过公司营收在去年第一季谷底，去年度营收逐季走扬；微矽今年元月营收0.94亿元，年增102.35%、月减0.67%。

布局后续营运，微矽电子竹南厂启动扩产计划，扩建面积2045坪，扩建厂房预计今年第一季完工，3楼无尘室预计今年第二祭完工，整体预计增加晶圆测试设备100组，预计增加晶圆薄化产能5%。

微矽电子产品与制程分类，电源管理IC测试占50%、MOSFRT晶圆薄化与测试占30%(薄化18%、测试12%)，第三代半导体测试占10%、半导体封装占10%。展望今年公司三大主要成长动能，其一电源管理IC(PMIC)，库存水位逐渐恢复至健康水准，PC、NB、手机市场逐步复苏，加上AI伺服器持续成长，AI应用走向边缘运算，AI PC、NB、手机带动换机潮，而DDR5渗透率提升，带动模组内建电源管理IC使用量增加。其二第三代半导体(GaN/SiC)，多家晶圆厂投入第三类半导体生产与扩产，供给增加，氮化镓(GaN)在快速充电器、资料中心与无人机应用方面持续成长，碳化矽(SiC)在电动车、再生能源应用方面持续发酵，微矽电子碳化矽测试在今年开始进入量产。其三晶圆薄化(BGBM/FSM)电子商品用电量持续提升，节能需求刺激晶圆薄化需求成长，微矽电子BGBM产能持续扩产，新制程FSM今年开始进入量产。

微矽电子副总经理王志成展望今年营运展望，受到通膨趋缓，升息循环接近尾声，今年有机会进入降息循环，半导体也历经一年多的库存调整，已逐步回到健康水位，其中AI伺服器成长动能将持续强劲，AI应用从伺服器拓展至边缘AI，驱动今年AI PC、NB、手机的市场发展，而净零排放也成为全球共识下，节能需求持续成长，带动相关功率半导体需求。微矽电子随着竹南厂扩建完工，晶圆测试与晶圆薄化将依客户需求状况进行扩产，FSM与SiC晶圆测试预估在今年进入量产。微矽电子预估今年上半年营运将持续回升，下半年预估会有较佳的成长。