异质整合突破 应材火力支援IC封装

目前台积电先进封装CoWoS的制程瓶颈在于矽穿孔（TSV）技术，TSV矽穿孔晶片堆叠并非打线接合，而是在各逻辑晶片钻出小洞，从底部填充入金属，使其能通过每一层晶片。再以导电材料如铜、多晶矽、钨等物质填满，形成连接的功能，最后将晶圆或晶粒薄化加以堆叠、结合（Bonding），作为晶片间传输电讯号用之立体堆叠技术。

随着IC设计业者继续将更多的逻辑、记忆体和特殊功能晶片整合到先进的2.5D和3D封装中，每个封装中的TSV互连导线数量扩展到数千个。为整合更多的互连导线并容纳更高的晶片堆叠，需将矽穿孔变得更窄、更高，造成沉积均匀性改变，因而降低了效能，也增加了电阻和功耗。

高效能运算和人工智慧等应用对电晶体的需求以指数级速度成长，传统的2D微缩速度缓慢且变得更加昂贵，异质整合解决产业所面临的挑战，使晶片制造商能以新的方式改善晶片的功率、效能、单位面积成本与上市时间。

应材为异质整合技术最大供应商，提供晶片制造系统，包括蚀刻、物理／化学气相沉积、退火与表面处理等设备。帮助半导体业者将各种功能、技术节点和尺寸的小晶片结合到先进封装中，使组合后的整体可作为单一产品的形式来运作。

应材指出，本次推出的新系统，包括Producer Avila PECVD电浆辅助化学气相沉积系统、PVD物理气相沉积系统，扩大了应材在异质整合领域与同业的差距。